Samsung начала производство 250 ГБ SSD-дисков на базе 136-слойной флеш-памяти V-NAND
08.08.19
Samsung анонсировала начало массового производства SATA SSD-дисков объемом 250 ГБ, которые построены на базе 136-слойной V-NAND флеш-памяти собственного производства.
По заявлению производителя, это первый случай в индустрии, когда используется память с таким количеством слоев.
Компания Samsung относит свою 136-слойную 256-гигабитную память V-NAND 3-bit уже к шестому поколению.
Такой плотности удалось достичь, применяя благодаря ряду новых фирменных разработок. Более того, производитель заявляет, что, используя найденные решения, в следующем поколении памяти V-NAND мы увидим уже более 300 слоев.
По сравнению с памятью Samsung V-NAND прошлого (пятого) поколения, которая появилась в мае 2018 года, у новой Samsung V-NAND на 10% повышена производительность и на 15% снижено энергопотребление.
Отмечая технические детали, приводятся данные, что для создания 256-гигабитного чипа количество необходимых «канальных отверстий» получилось уменьшить с 930 до 670 млн, что привело к уменьшению размера чипа и сокращению количества производственных процессов.
250-гигабайтный SATA-диск, выпускаемый на базе новой 136-слойной V-NAND-памяти, является первенцем. Среди дальнейших планов — выпуск высокоскоростных дисков, накопителей большого объема, а также eUFS-решений на базе это памяти.
Учитывая высокую скорость и малое энергопотребление, Samsung также планирует найти применение для 3D V-NAND в мобильных устройствах нового поколения, серверном оборудовании и даже в автомобилях.
вологість:
тиск:
вітер:
Достоинства материнских плат MSI
Сердцем компьютера считается процессор, однако без добротной материнки он теряет свою ценность. Системная плата выполняет объединяющую функцию и корректное функционирование основных компьютерных комплектующих и периферии
Qualcomm S3 Gen 3 и S5 Gen 3 — новые аудио-платформы для мобильных устройств
Qualcomm аудиоПлатформа Qualcomm S3 Gen 3 также предлагает инновации, ранее доступные только в устройствах премиум-класса, включая поддержку программы Qualcomm Voice & Music Extension
Смартфон OnePlus Ace 3V с OLED-дисплеем 120 Гц, чипом Snapdragon 7+ Gen 3, зарядкой 100 Вт стоит $277
Android OnePlus Qualcomm смартфонOnePlus Ace 3V работает на новом процессоре Qualcomm Snapdragon 7+ Gen 3, став первым смартфоном на рынке с таким чипсетом