SK Hynix начнёт выпускать оперативную память с применением 10-нм техпроцесса
23.10.19
В августе Micron сообщила о начале массового производства 16-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса 10-нм класса. У Samsung подобная память выпускается в 8-гигабитных микросхемах. На этой неделе о преодолении технологического рубежа сообщили в компании SK Hynix.
Плотность размещения памяти на одной кремниевой пластине по сравнению с предыдущим поколением техпроцесса выросла на 27 %, и это положительно скажется на себестоимости такой памяти. SK Hynix подчёркивает, что для выпуска памяти по техпроцессу 1z нм не требуется литография со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV).
SK Hynix свою новую память готова поставлять со следующего года в ассортименте до DDR4-3200 включительно. Со временем на новую ступень литографии перейдут и микросхемы памяти LPDDR5 и HBM2E. По словам корейского производителя, LPDDR5 станет новым поколением памяти для применения в мобильных устройствах.
вологість:
тиск:
вітер:
Достоинства материнских плат MSI
Сердцем компьютера считается процессор, однако без добротной материнки он теряет свою ценность. Системная плата выполняет объединяющую функцию и корректное функционирование основных компьютерных комплектующих и периферии
Смартфон OnePlus Ace 3V с OLED-дисплеем 120 Гц, чипом Snapdragon 7+ Gen 3, зарядкой 100 Вт стоит $277
Android OnePlus Qualcomm смартфонOnePlus Ace 3V работает на новом процессоре Qualcomm Snapdragon 7+ Gen 3, став первым смартфоном на рынке с таким чипсетом
Samsung Music Frame — гибрид фоторамки и Bluetooth-колонки
Bluetooth Samsung колонкаSamsung Music Frame совместим с такими аудиоформатами, как Dolby Atmos, Dolby Digital Plus и Hi-Res Audio. Он также оснащен Active Voice Amplifier, Adaptive Sound и Wireless Dolby Atmos.