Samsung запустила производство микросхем флеш-памяти eUFS объемом 1 ТБ

 | 18.00

Микросхема Samsung 1TB eUFS

30 января 2019 года компания Samsung объявила о старте массового производства микросхем флеш-памяти объемом 1 ТБ.

Речь идет о памяти eUFS 2.1, которая используется в продвинутых смартфонах.

С учетом продвинутых возможностей камер современных смартфонов, постоянным ростом размера различных приложений с каждым годом увеличиваются потребности в объеме встроенного накопителя мобильного устройства.

Ожидается, что в 2019 году появится немало топовых смартфонов с модификациями памяти, включающими вариант на 1 ТБ или даже больше.

Микросхема Samsung 1TB eUFS

Новые микросхемы 1TB eUFS имеют такой же физический размер 11,5×13 мм, как у предшественников 512GB eUFS 2.1.

Указывается, что пользователи с таким накопителем смогут хранить до 260 видеороликов 10-минутных 4K-видеороликов. Для сравнения, на довольно типичный накопитель объемом 64 ГБ можно записать примерно 13 таких же видеороликов.

Вместе с увеличением объема новые микросхемы обеспечивают и возросшее быстродействие. Скорость чтения может достигать 1 ГБ/с, а записи — 260 МБ/с.

Микросхема Samsung 1TB eUFS

Для информации Samsung привела таблицу, где сравниваются микросхемы памяти мобильных устройств разных поколений, начиная с eMMC 4.5 и заканчивая новейшей eUFS 2.1 объемом 1 ТБ.

MemorySequential
Read Speed
Sequential
Write Speed
Random
Read Speed
Random
Write Speed
Samsung
1TB eUFS 2.1
(Jan. 2019)
1000 MB/s260 MB/s58,000 IOPS50,000 IOPS
Samsung
512GB eUFS 2.1
(Nov. 2017)
860 MB/s255 MB/s42,000 IOPS40,000 IOPS
Samsung
eUFS 2.1 for automotive
(Sept. 2017)
850 MB/s150 MB/s45,000 IOPS32,000 IOPS
Samsung
256GB UFS Card
(July 2016)
530 MB/s170 MB/s40,000 IOPS35,000 IOPS
Samsung
256GB eUFS 2.0
(Feb. 2016)
850 MB/s260 MB/s45,000 IOPS40,000 IOPS
Samsung
128GB eUFS 2.0
(Jan. 2015)
350 MB/s150 MB/s19,000 IOPS14,000 IOPS
eMMC 5.1250 MB/s125 MB/s11,000 IOPS13,000 IOPS
eMMC 5.0250 MB/s90 MB/s7,000 IOPS13,000 IOPS
eMMC 4.5140 MB/s50 MB/s7,000 IOPS2,000 IOPS

Додати коментар

Ваша email адреса не буде опублікована.