Transcend представила новые карты памяти SD и microSD промышленного уровня

 | 15.00

Transcend_PR_20220217_Embedded_cards

Transcend представила новые карты памяти SD и microSD промышленного уровня, выполненные на базе высококачественных микросхем памяти 3D NAND, MLC и SuperMLC.

Карты выдерживают от 3 до 100 тысяч циклов записи/стирания, не уступая по этому показателю устройствам на базе памяти типа SLC NAND.

Карты памяти Transcend SD и microSD соответствуют спецификациям SD Specification Version 6.1 и UHS-I, а также требованиям самого последнего стандарта производительности Application Performance Class 2 (A2), обеспечивая скорости чтения и записи до 100 МБ/с и до 85 МБ/с, соответственно.

Носители серии «T» и «М» могут использоваться при экстремальных температурах от -25° до 85°C, а карты памяти серии «I» проходят тестирование в широком диапазоне температур от -40°C до 85°C.

Кроме того, карты памяти являются влагозащищенными, ударостойкими и виброустойчивыми, а также защищены от рентгеновского излучения и статического электричества. Встроенные механизмы корректировки ошибок ECC позволяют исправлять большинство ошибок в файлах, обеспечивая возможность их считывания.

Промышленные карты памяти SD и microSD предлагаются в вариантах емкостью от 2 ГБ до 512 ГБ, и поставляются с трехлетней ограниченной гарантией.

Сравнительная таблица спецификаций SD карт памяти

МодельSDC460TSDC410MSDC220I
Тип памятиWD BiCS5

3D NAND

Samsung 14nm MLC NANDWD 15nm SuperMLC
Емкость64-512 ГБ2-32 ГБ2-4 ГБ
Макс. скорость чтения/записи100/85 МБ/с95/30 МБ/с22/20 МБ/с
Speed ClassUHS-I U3UHS-I U1Class 10
Video Speed ClassV30V10
App Performance ClassА2А1
Рабочая температура-25°C ~ 85°C-25°C ~ 85°C-40°C ~ 85°C
Циклов записи/стирания3 тысячи3 тысячи30 тысяч
Ресурс TBW1 328 ТБ86 ТБ66 ТБ
ECCLDPC ECCBCH ECCBCH ECC
Поддержка S.M.A.R.T.ЕстьНетЕсть

 

Сравнительная таблица спецификаций microSD карт памяти

МодельUSD460TUSD450IUSD230IUSD410MUSD220I
Тип памятиWD BiCS5

3D NAND

WD BiCS4.5

3D NAND

WD BiCS4/BiCS3

3D NAND

(SLC-режим)

Samsung 14nm

MLC NAND

WD 15nm

SuperMLC

Емкость64-512 ГБ64-128 ГБ2-64 ГБ2-32 ГБ2-16 ГБ
Макс. скорость чтения/записи100/80 МБ/с100/85 МБ/с100/70 МБ/с95/50 МБ/с80/45 МБ/с
Speed ClassUHS-I U3UHS-I U3UHS-I U3UHS-I U3UHS-I U1
Video Speed ClassV30V30V30V10
App Performance ClassА2А2А1А1
Рабочая температура-25°C ~ 85°C-40°C ~ 85°C-40°C ~ 85°C-25°C ~ 85°C-40°C ~ 85°C
Циклов записи/стирания3 тысячи3 тысячи100 тысяч3 тысячи30 тысяч
Ресурс TBW663 ТБ332 ТБ5 800 ТБ86 ТБ300 ТБ
ECCLDPC ECCLDPC ECCBCH ECCBCH ECCBCH ECC
Поддержка S.M.A.R.T.ЕстьЕстьЕстьНетЕсть

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.